SN74CB3Q3245RGYR 100% Mpya & Asili ya DC hadi DC na Kubadilisha Chip ya Kidhibiti
Sifa za Bidhaa
| AINA | MFANO |
| kategoria | Swichi ya mawimbi, kiboreshaji, kipunguza sauti |
| mtengenezaji | Vyombo vya Texas |
| mfululizo | 74CB |
| kanga | Vifurushi vya mkanda na kusongesha (TR) Kifurushi cha mkanda wa kuhami joto (CT) Digi-Reel® |
| Hali ya bidhaa | Inayotumika |
| aina | Kubadilisha basi |
| mzunguko | 8 x 1:1 |
| Mzunguko wa kujitegemea | 1 |
| Ya sasa - Pato la juu, chini | - |
| Chanzo cha usambazaji wa voltage | Ugavi wa umeme mmoja |
| Voltage - Ugavi wa nguvu | 2.3V ~ 3.6V |
| Joto la uendeshaji | -40°C ~ 85°C |
| Aina ya ufungaji | Aina ya wambiso wa uso |
| Kifurushi/Makazi | Pedi iliyofichuliwa ya 20-VFQFN |
| Ufungaji wa sehemu ya muuzaji | VQFN 20 (3.5x4.5) |
| Nambari kuu ya bidhaa | 74CB3Q3245 |
Utangulizi wa Bidhaa
SN74CB3Q3245 ni swichi ya basi ya FET yenye kipimo cha juu kinachotumia pampu ya malipo ili kuinua voltage ya lango la transistor ya kupita, kutoa upinzani wa chini na gorofa wa ON-state (ron).Upinzani wa chini na tambarare wa ON-hali huruhusu kucheleweshwa kidogo kwa uenezi na kuhimili ubadilishaji wa reli hadi reli kwenye bandari za pembejeo/pato (I/O).Kifaa pia kina uwezo wa chini wa data wa I/O ili kupunguza upakiaji wa uwezo na upotoshaji wa mawimbi kwenye basi ya data.SN74CB3Q3245 imeundwa mahsusi ili kuunga mkono utumaji data wa data juu, SN74CB3Q3245 hutoa suluhisho la kiolesura lililoboreshwa linalofaa kwa mawasiliano ya broadband, mitandao, na mifumo ya kompyuta inayotumia data nyingi.
SN74CB3Q3245 imepangwa kama swichi ya basi ya biti 8 na ingizo moja la kuwezesha (OE\).OE\ ikiwa chini, swichi ya basi IMEWASHWA na lango A limeunganishwa kwenye lango B, hivyo kuruhusu mtiririko wa data unaoelekezwa pande mbili kati ya milango.OE\ ikiwa juu, swichi ya basi IMEZIMWA na hali ya kizuizi cha juu ipo kati ya bandari A na B.
Kifaa hiki kimebainishwa kikamilifu kwa programu za kuzima sehemu kwa kutumia Ioff.Saketi ya Ioff huzuia mtiririko wa sasa wa uharibifu kupitia kifaa kinapowashwa.Kifaa kina kujitenga wakati wa kuzima umeme.
Ili kuhakikisha hali ya juu-impedans wakati wa kuzima au kuzima chini, OE \ inapaswa kuunganishwa kwa VCC kwa njia ya kupinga kuvuta;thamani ya chini ya kupinga imedhamiriwa na uwezo wa sasa wa kuzama wa dereva.
Vipengele vya Bidhaa
- Njia ya Data ya Kipimo cha Juu (Hadi 500 MHz↑)
- Sawa na Kifaa cha IDTQS3VH384
- 5-V I/Os Zinazostahimili na Kifaa Kilichowezeshwa Juu au Kinaendeshwa Chini
- Sifa za Upinzani wa Hali ya Chini na Bapa (ron) Juu ya Masafa ya Uendeshaji (ron = 4ΩKawaida)
- Kubadilisha Reli-hadi-Reli kwenye Bandari za I/O za Data Mtiririko wa Data ya Uelekeo, Pamoja na Kuchelewa kwa Uenezi wa Karibu na SufuriUwezo wa Chini wa Kuingiza/Kutoa Hupunguza Upakiaji na Upotoshaji wa Mawimbi (Cio(ZIMA) = 3.5 pF Kawaida)
- Kubadilisha 0- hadi 5-V Kwa VCC 3.3-V
- Kubadilisha 0- hadi 3.3-V Kwa VCC 2.5-V
- Masafa ya Kubadilisha Haraka (fOE\ = 20 MHz Max)
- Data na Udhibiti wa Pembejeo Hutoa Diodi za Clamp za Undershoot
- Matumizi ya Nguvu ya Chini (ICC = 1 mA ya Kawaida)
- Aina ya Uendeshaji ya VCC Kutoka 2.3 V hadi 3.6 V
- Data I/Os Inasaidia Viwango vya Kuashiria 0 hadi 5-V (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- Ingizo za Kudhibiti Inaweza Kuendeshwa na TTL au 5-V/3.3-V Mito ya CMOS
- Ioff Inaauni Uendeshaji wa Hali ya Nguvu-Kupungua kwa Sehemu
- Utendaji wa Latch-Up Unazidi mA 100 Kwa JESD 78, Daraja la II
- Utendaji wa ESD Umejaribiwa Kulingana na JESD 22Inaauni Matumizi ya Dijitali na Analogi: Kiolesura cha PCI, Kiolesura cha Mawimbi Tofauti, Kuingiliana kwa Kumbukumbu, Kutenganisha Basi, Uwekaji wa Mawimbi ya Upotoshaji wa Chini.
- 2000-V Muundo wa Mwili wa Binadamu (A114-B, Daraja la II)
- Muundo wa Kifaa Cha 1000-V (C101)
Faida za Bidhaa
- usimamizi wa joto na ulinzi wa overvoltage
Udhibiti wa joto ni changamoto nyingine kuu kwa waundaji chaja za betri.Kila chipu ya chaja hupungua voltage wakati wa kuchaji kwa sababu ya kuharibika kwa joto.Ili kuepuka uharibifu wa betri au kuzimwa kwa mfumo, chaja nyingi hujumuisha aina fulani ya utaratibu wa kudhibiti uongezaji joto.Vifaa vipya zaidi hutumia mbinu za kisasa zaidi za maoni ili kufuatilia halijoto ya kufa na kurekebisha sasa chaji kwa nguvu au kwa kukokotoa kwa kiwango sawia na mabadiliko ya halijoto iliyoko.Ufahamu huu uliojengewa ndani huruhusu chip ya chaja ya sasa kupunguza kasi ya kuchaji hatua kwa hatua hadi usawa wa mafuta ufikiwe na halijoto ya kufa iache kupanda.Teknolojia hii huruhusu chaja kuendelea kuchaji betri kwa kiwango cha juu iwezekanavyo cha sasa bila kusababisha mfumo kuzimika, hivyo kupunguza muda wa kuchaji betri.Vifaa vingi vipya zaidi leo pia vitaongeza utaratibu wa ulinzi wa overvoltage.
Chaja BQ25616JRTWR hutoa vipengele mbalimbali vya usalama kwa ajili ya chaji ya betri na uendeshaji wa mfumo, ikiwa ni pamoja na ufuatiliaji wa kidhibiti halijoto cha betri hasi, kipima saa cha usalama cha kuchaji na ulinzi wa overvoltage na unaozidi sasa.Udhibiti wa hali ya joto hupunguza sasa chaji wakati halijoto ya makutano inapozidi 110°C.Matokeo ya STAT huripoti hali ya utozaji na hali yoyote ya hitilafu.
Matukio ya Maombi
Chip ya chaja ya betri ni ya aina ya chip ya usimamizi wa nguvu, anuwai ya maombi ni pana sana.Uendelezaji wa chips za usimamizi wa nguvu ni muhimu kwa kuboresha utendaji wa mashine nzima, uchaguzi wa chips za usimamizi wa nguvu ni moja kwa moja kuhusiana na mahitaji ya mfumo, wakati maendeleo ya chips za usimamizi wa nguvu za digital bado zinahitaji kuvuka kizuizi cha gharama.
BQ25616/616J ni kifaa cha usimamizi cha malipo ya betri cha 3-A kilichounganishwa kwa kiwango cha juu na kifaa cha usimamizi wa njia ya nguvu ya mfumo kwa betri za seli moja za Li-Ion na Li-polymer.Suluhisho limeunganishwa sana na FET ya kuzuia nyuma ya pembejeo (RBFET, Q1), FET ya upande wa juu (HSFET, Q2), FET ya upande wa chini (LSFET, Q3), na FET ya betri (BATFET, Q4) kati ya mfumo na betri.Njia ya nishati ya kizuizi cha chini huboresha ufanisi wa utendakazi wa hali ya kubadili, hupunguza muda wa kuchaji betri na huongeza muda wa matumizi ya betri wakati wa awamu ya kuchaji.
BQ25616/616J ni mfumo wa usimamizi wa malipo ya betri wa 3-A uliounganishwa sana na kifaa cha usimamizi wa Njia ya Nguvu ya betri za Li-ion na Li-polymer.Inachaji haraka na usaidizi wa juu wa voltage ya pembejeo kwa anuwai ya programu ikijumuisha spika, viwandani na vifaa vya matibabu vinavyobebeka.Njia yake ya nguvu ya uzuiaji wa chini huongeza ufanisi wa utendakazi wa hali ya swichi, hupunguza muda wa kuchaji betri, na huongeza muda wa matumizi ya betri wakati wa kuchaji.Voltage yake ya pembejeo na udhibiti wa sasa hutoa nguvu ya juu zaidi ya kuchaji kwenye betri.
Suluhisho limeunganishwa sana na FET ya kuzuia nyuma ya pembejeo (RBFET, Q1), FET ya upande wa juu (HSFET, Q2), FET ya upande wa chini (LSFET, Q3), na FET ya betri (BATFET, Q4) kati ya mfumo na betri.Pia huunganisha diode ya bootstrap kwa kiendeshi cha lango la upande wa juu kwa muundo wa mfumo uliorahisishwa.Mpangilio wa maunzi na ripoti ya hali hutoa usanidi rahisi ili kusanidi suluhisho la kuchaji.
