IPD135N08N3G Mzunguko Mpya wa Bidhaa Uliounganishwa
Sifa za Bidhaa
| AINA | MAELEZO |
| Kategoria | Bidhaa Mbalimbali za Semiconductor |
| Mfr | Teknolojia ya Infineon |
| Msururu | OptiMOS™ |
| Kifurushi | Tape & Reel (TR) |
| Hali ya Bidhaa | Kizamani |
| Aina ya FET | N-Chaneli |
| Teknolojia | MOSFET (Oksidi ya Metali) |
| Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss) | 80 V |
| Ya Sasa – Maji Machafu (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho | 3.5V @ 33µA |
| Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Upeo) | ±20V |
| Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| Kipengele cha FET | - |
| Upotezaji wa Nguvu (Upeo) | 79W (Tc) |
| Joto la Uendeshaji | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Aina ya Kuweka | Mlima wa Uso |
| Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji | PG-TO252-3 |
| Kifurushi / Kesi | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Nambari ya Msingi ya Bidhaa | IPD135N |
Nyaraka na Vyombo vya Habari
| AINA YA RASILIMALI | KIUNGO |
| Laha za data | IPD135N08N3G |
| Nyaraka Nyingine Zinazohusiana | Mwongozo wa Nambari ya Sehemu |
| Bidhaa Iliyoangaziwa | Mifumo ya Kuchakata Data |
| Karatasi ya data ya HTML | IPD135N08N3G |
Uainishaji wa Mazingira na Uuzaji nje
| SIFA | MAELEZO |
| Kiwango cha Kuhisi Unyevu (MSL) | 1 (Bila kikomo) |
| FIKIA Hali | FIKIA Hujaathirika |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Rasilimali za Ziada
| SIFA | MAELEZO |
| Majina Mengine | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Kifurushi cha Kawaida | 2,500 |
Transistor ni kifaa cha semiconductor ambacho hutumiwa kwa kawaida katika amplifiers au swichi zinazodhibitiwa kielektroniki.Transistors ni vitalu vya msingi vya ujenzi vinavyodhibiti uendeshaji wa kompyuta, simu za mkononi, na nyaya nyingine zote za kisasa za kielektroniki.
Kutokana na kasi ya majibu ya haraka na usahihi wa juu, transistors zinaweza kutumika kwa aina mbalimbali za kazi za digital na analog, ikiwa ni pamoja na ukuzaji, kubadili, kidhibiti cha voltage, moduli ya ishara na oscillator.Transistors zinaweza kufungwa moja moja au katika eneo dogo sana ambalo linaweza kubeba transistors milioni 100 au zaidi kama sehemu ya saketi iliyounganishwa.
Ikilinganishwa na bomba la elektroni, transistor ina faida nyingi:
Sehemu haina matumizi
Haijalishi jinsi bomba ni nzuri, itaharibika hatua kwa hatua kutokana na mabadiliko katika atomi za cathode na kuvuja kwa muda mrefu kwa hewa.Kwa sababu za kiufundi, transistors zilikuwa na shida sawa wakati zilitengenezwa mara ya kwanza.Pamoja na maendeleo katika nyenzo na uboreshaji katika vipengele vingi, transistors hudumu mara 100 hadi 1,000 zaidi ya mirija ya kielektroniki.
Tumia nguvu kidogo sana
Ni moja tu ya kumi au makumi ya moja ya bomba la elektroni.Haihitaji kupasha joto nyuzi ili kutoa elektroni za bure kama bomba la elektroni.Redio ya transistor inahitaji tu betri chache kavu ili kusikiliza kwa miezi sita kwa mwaka, ambayo ni vigumu kufanya kwa redio ya tube.
Hakuna haja ya preheat
Fanya kazi mara tu unapoiwasha.Kwa mfano, redio ya transistor huzimika mara tu inapowashwa, na televisheni ya transistor huweka picha mara tu inapowashwa.Vifaa vya bomba la utupu haviwezi kufanya hivyo.Baada ya boot, subiri kwa muda ili kusikia sauti, angalia picha.Kwa wazi, katika kijeshi, kipimo, kurekodi, nk, transistors ni faida sana.
Nguvu na ya kuaminika
Mara 100 zaidi ya kuaminika kuliko tube ya elektroni, upinzani wa mshtuko, upinzani wa vibration, ambayo haiwezi kulinganishwa na tube ya elektroni.Aidha, ukubwa wa transistor ni moja tu ya kumi hadi mia moja ya ukubwa wa tube ya elektroni, kutolewa kwa joto kidogo sana, inaweza kutumika kutengeneza nyaya ndogo, ngumu, za kuaminika.Ingawa mchakato wa utengenezaji wa transistor ni sahihi, mchakato ni rahisi, ambao unafaa kwa kuboresha wiani wa ufungaji wa vipengele.
